STMicroelectronics公司宣布了一项新技术，利用该技术可制造出密度超过30nF/mm2的电容器，这种密度水平是采用基于硅/钛氧化物或氮化物的传统工艺的50倍。该技术采用了PZT钙钛矿，这是一种组合了铅、锆、钛和氧的材料，并提供了约900的介电常数 —— 是二氧化硅的200倍...

STMicroelectronics公司宣布了一项新技术，利用该技术可制造出密度超过30nF/mm2的电容器，这种密度水平是采用基于硅/钛氧化物或氮化物的传统工艺的50倍。该技术采用了PZT钙钛矿，这是一种组合了铅、锆、钛和氧的材料，并提供了约900的介电常数 —— 是二氧化硅的200倍...

STMicroelectronics公司宣布了一项新技术，利用该技术可制造出密度超过30nF/mm2的电容器，这种密度水平是采用基于硅/钛氧化物或氮化物的传统工艺的50倍。该技术采用了PZT钙钛矿，这是一种组合了铅、锆、钛和氧的材料，并提供了约900的介电常数 —— 是二氧化硅的200倍...